골레타, 캘리포니아--(뉴스와이어)--근본적으로 우수하고 양적으로 월등한 성능을 내는 GaN 전력 반도체의 글로벌 리더인 트랜스폼(Transphorm, Inc.)(나스닥: TGAN)은 오늘 1200V FET 시뮬레이션 모델 및 예비 데이터시트를 공개한다고 발표했다. TP120H070WS FET는 현재까지 소개된 유일한 GaN-on-Sapphire 전력 반도체로, 동종 최초의 모델이다. 이번 출시는 광범위한 산업, 데이터 통신, 재생 에너지 시장에서 일반적으로 사용되는 3상 전력 시스템뿐만 아니라 미래의 자동차 전력 시스템을 지원할 수 있는 트랜스폼의 역량을 보여준다. 이런 응용 분야는 1200V GaN 디바이스의 높은 전력 밀도 및 안정성과 함께 대체 기술에 비해 더 합리적인 비용으로 동일하거나 더 나은 성능을 제공하는 이점을 누릴 수 있다. 트랜스폼은 최근 100KHz에서 스위칭하는 5kW 900V 벅 컨버터에서 GaN 디바이스의 높은 성능을 입증했다. 1200V GaN 디바이스는 98.7% 효율을 달성해 비슷한 등급으로 상용 SiC MOSFET을 능가했다.

또한 혁신적인 1200V 기술은 GaN 전력 변환 분야에서 트랜스폼의 리더십을 보여주고 있다. 회사의 수직 통합, 에피택시 소유권 및 특허 프로세스는 수십 년에 걸쳐 축적된 엔지니어링 전문 지식과 결합해 제조성, 작동성, 설계성 및 신뢰성의 네 가지 주요 차별화 요소를 갖춘 최고 성능의 GaN 디바이스 포트폴리오를 시장에 선보일 수 있게 해 준다.

PCIM 2023 참석자는 5월 9일에서 11일 사이에 홀 7 부스 108에서 트랜스폼의 1200V 디바이스에 대해 더 자세히 알아볼 수 있다.

예비 디바이스 모델 사양 및 액세스

트랜스폼의 1200V 기술은 입증된 프로세스와 성숙한 기술에 기반 고객 신뢰 요구 사항을 충족한다. GaN-on-Sapphire 프로세스는 오늘날 LED 시장에서 대량 생산에 사용되고 있다. 또한 1200V 기술은 트랜스폼의 현재 디바이스 포트폴리오에 사용되는 근본적으로 우수한 상시불통형 GaN 플랫폼을 활용한다.

TP120H070WS 디바이스의 주요 사양은 다음과 같다.

· 70 mΩ RDS(개통 시)

· 상시불통형

· 효율적인 양방향 전류 흐름

· ± 20 Vmax 게이트 견고성

· 낮은 4Vth 게이트 드라이브 잡음 내성

· 제로 QRR

· 3선 TO-247 패키지

Verilog-A 디바이스 모델은 SIMetrix Pro v8.5 회로 시뮬레이터와 함께 사용할 것이 권장된다. LTSpice 모델이 개발 중이며 2023년 4분기에 출시될 예정이다. 시뮬레이션 모델링은 빠르고 효율적인 전력 시스템 설계 검증을 지원하는 동시에 설계 반복, 개발 시간, 하드웨어 투자를 줄여준다.

디바이스 모델 파일과 데이터시트는 https://www.transphormusa.com/en/products/#models 에서 다운로드할 수 있다.

1200V FET 샘플은 2024년 1분기부터 제공될 예정이다.

자동차 전력 시스템 및 충전 생태계를 위한 트랜스폼 GaN

1200V GaN 디바이스는 다양한 시장 애플리케이션을 위한 최적의 솔루션이지만 그중에서도 자동차 시스템에 특별한 이점을 제공한다.

대형 차량을 위한 고킬로와트 노드를 중심으로 전기자동차 산업은 2020년대 후반기에 800V 배터리 방향으로 이동하고 있다. 그러므로 1200V 전력 변환 스위치는 필수적인 성능 수준을 제공하는 데 사용될 것이다. 따라서 트랜스폼의 1200V 플랫폼은 차세대 온보드 충전기, DC-DC 컨버터, 드라이브 인버터 및 충전소 충전 시스템 분야에서 성공할 수 있는 이상적인 위치에 있다.

400V 배터리를 사용하는 현재 EV 모델의 경우, 트랜스폼은 650V 상시불통형 SuperGaN® FET를 제공하며 이런 디바이스는 최대 175°C까지 AEC-Q101 인증을 받았으며 대량 생산되고 있다.

트랜스폼의 최고기술책임자 겸 공동설립자인 우메쉬 미쉬라(Umesh Mishra)는 “우리는 GaN의 가능성을 시연하고 이행하는 선도적인 전력 반도체 회사다”며 “우리의 전문성은 매일 전력 밀도, 성능 및 시스템 비용에 대한 새로운 표준을 설정하는 탁월한 GaN 디바이스를 시장에 선보인다. 우리의 1200V 기술은 당사 엔지니어링팀의 혁신적인 비전과 의지를 보여주는 증거이다. 우리는 GaN이 이전에 실리콘 카바이드가 차지하던 애플리케이션 시장에서 매우 쉽게 능력을 발휘할 수 있음을 증명하고 있으며, 이는 우리의 비즈니스와 GaN에 대한 광범위한 시장 채택 가능성을 열어준다”고 덧붙였다.

트랜스폼 소개

GaN 혁명의 글로벌 리더인 트랜스폼(Transphorm, Inc.)은 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 높은 안정성의 고성능 GaN 반도체를 설계 및 생산한다. 1000개 이상의 특허를 소유 또는 등록한 최대 규모의 전력 GaN IP 포트폴리오를 보유한 트랜스폼은 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증된 고전압 GaN 반도체 디바이스를 생산하고 있다. 이 회사의 수직 통합 디바이스 비즈니스 모델은 설계, 제조, 디바이스 및 애플리케이션 지원에 이르는 모든 개발 단계에서 혁신을 촉진한다. 트랜스폼의 혁신 기술을 채택한 전력 전자 디바이스는 실리콘의 한계를 뛰어넘어 99%가 넘는 효율성, 50% 늘어난 전력 밀도 및 20% 낮아진 시스템 비용을 달성할 수 있다. 트랜스폼은 캘리포니아주 골레타에 본사를 두고 있으며 골레타와 일본 아이즈에 제조 시설을 운영하고 있다. 자세한 내용을 보려면 www.transphormusa.com 을 방문하고 트위터(@transphormusa) 및 위챗(@Transphorm_GaN)에서 팔로우할 수 있다.

SuperGaN 마크는 Transphorm, Inc.의 등록 상표이다. 다른 모든 사표는 해당 소유자의 재산이다.

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